SI8809EDB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-Microfoot
数量：: 6417
说明：: MOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V

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SI8809EDB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：900 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.09 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：- 2.6 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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