SI8812DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-UFBGA
数量：: 9426
说明：: MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V

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SI8812DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：Micro Foot
功率耗散：0.9 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6.3 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.59 Ohms at 4.5 V
漏极连续电流：3.2 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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