SI8817DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA
数量：: 6445
说明：: MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III

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SI8817DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：P-Channel Gen III
功率耗散：0.9 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：7.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5 S
包装形式：Reel
封装形式：MICRO FOOT 0.8 x 0.8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：76 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 2.9 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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