SI8805EDB-T2-E1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 4-XFBGA,CSPBGA
数量:
 6390  
说明:
 MOSFET 8V P-CH Micro Foot
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SI8805EDB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:0.9 W
栅极电荷 Qg:6.7 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8 S
包装形式:Reel
封装形式:Micro Foot-4
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.056 Ohms
漏极连续电流:- 3.1 A
闸/源击穿电压:5 V
汲极/源极击穿电压:- 8 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8805EDB-T2-E1的详细信息,包括SI8805EDB-T2-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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