SI8805EDB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA，CSPBGA
数量：: 6390
说明：: MOSFET 8V P-CH Micro Foot

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SI8805EDB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：0.9 W
栅极电荷 Qg：6.7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8 S
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.056 Ohms
漏极连续电流：- 3.1 A
闸/源击穿电压：5 V
汲极/源极击穿电压：- 8 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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