SI4559EY

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 2475  
说明:
 MOSFET 60V 4.5/3.1A
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:36 ns, 12 ns
工厂包装数量:100
上升时间:11 ns, 10 ns
功率耗散:2.4 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:11 ns, 35 ns
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):55 mOhms, 120 mOhms
漏极连续电流:4.5 A, 3.1 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

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