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RF1S25N06

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-262
数量：
 1224  
说明：
 MOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/25a/0.047 Ohm
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RF1S25N06-TO-262图片

RF1S25N06 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
上升时间：30 ns
功率耗散：72 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：22 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.047 Ohms
漏极连续电流：25 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RF1S25N06的详细信息，包括RF1S25N06厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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