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RF1S40N10SM9A

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB
数量：
 1269  
说明：
 MOSFET USE 512-FDB3682
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RF1S40N10SM9A-TO-263AB图片

RF1S40N10SM9A PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：42 ns
工厂包装数量：800
上升时间：30 ns
功率耗散：160 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.04 Ohms
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RF1S40N10SM9A的详细信息，包括RF1S40N10SM9A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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