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RF1S4N100SM

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB
数量：
 1278  
说明：
 MOSFET TO-263
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RF1S4N100SM-TO-263AB图片

RF1S4N100SM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：170 ns
上升时间：50 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.5 Ohms
漏极连续电流：4.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RF1S4N100SM的详细信息，包括RF1S4N100SM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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