RF1S640SM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263AB
数量：: 1296
说明：: MOSFET N-Ch Power MOSFET 200V/18a/0.180 Ohm

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RF1S640SM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：46 ns
上升时间：50 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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