RF1S50N06SM9A

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263AB
数量：: 1287
说明：: MOSFET

一、本商品被浏览0次.

RF1S50N06SM9A PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：37 ns
工厂包装数量：800
上升时间：55 ns
功率耗散：131 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.022 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RF1S50N06SM9A的详细信息，包括RF1S50N06SM9A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：