首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频MOSFET电源晶体管 > PTFB211803FL V2

PTFB211803FL V2

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 H-34288-4/2
数量：
 3303  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PTFB211803FL V2-H-34288-4/2图片

PTFB211803FL V2 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FB211803FLV2NP PTFB211803FLV2XWSA1 SP000865674
系列：PTFB211803
安装风格：SMD/SMT
封装形式：H-34288-4/2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.3 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：40 W
增益：17.5 dB
频率：2.17 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
制造商：Infineon

以上是PTFB211803FL V2的详细信息，包括PTFB211803FL V2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管   射频双极小信号晶体管   射频JFET晶体管   射频双极电源晶体管   射频MOSFET小信号晶体管  

最新产品：

  • 9-1423162-4
  • CPC2330NTR
  • MBRF1590CT C0G
  • SN74HCS244QWRKSRQ1
  • AMPDEGH-A06T3
  • ML620Q156-609TBZWARL
  • PSMN1R4-30YLDX
  • W25Q256JWEIM TR
  • 72V02L25J
  • BZT52C11-E3-18

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC