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PTFB211803FL V2

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 H-34288-4/2
数量：
 3303  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz
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PTFB211803FL V2 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FB211803FLV2NP PTFB211803FLV2XWSA1 SP000865674
系列：PTFB211803
安装风格：SMD/SMT
封装形式：H-34288-4/2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.3 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：40 W
增益：17.5 dB
频率：2.17 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
制造商：Infineon

以上是PTFB211803FL V2的详细信息，包括PTFB211803FL V2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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