PTFB212503EL V1 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-33288-6
数量：: 3330
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz

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中文参数如下：

零件号别名：FB212503ELV1R25NT PTFB212503ELV1R250XTMA1 SP000667592
系列：PTFB212503
安装风格：SMD/SMT
封装形式：H-33288-6
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.85 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：55 W
增益：18 dB
频率：2.17 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
制造商：Infineon

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