PTFB213004F V2 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-37275-6/2
数量:
 3411  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz
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PTFB213004F V2 R250 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FB213004FV2R25NT PTFB213004FV2R250XTMA1 SP000860702
系列:PTFB213004
安装风格:SMD/SMT
封装形式:H-37275-6/2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:10 V
漏极连续电流:2.4 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:60 W
增益:18 dB
频率:2.17 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
制造商:Infineon

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