PTFB213004F V1 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-37275-6/2
数量：: 3393
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz

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PTFB213004F V1 R250 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FB213004FV1R25NT
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：H-37275-6/2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：2.4 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：60 W
增益：18 dB
频率：2.17 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：否
制造商：Infineon

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