PTFA181001GLV1R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-36248-2
数量：: 2835
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC

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PTFA181001GLV1R250 PDF参数资料

中文参数如下：

功率耗散：407 W
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：PG-36248-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：750 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：100 W
增益：16.5 dB
频率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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