PTFA181001F V4

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-37248-2
数量:
 5715  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA181001F V4 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FA181001FV4XP PTFA181001FV4XWSA1 SP000376067
工厂包装数量:50
系列:PTFA181001
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.85 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:407 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tray
封装形式:H-37248-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:750 mA
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:100 W
增益:16.5 dB
频率:1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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