PSMN1R1-30EL,127

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 I2PAK
数量:
 3888  
说明:
 MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
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PSMN1R1-30EL,127 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
功率耗散:338 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:243 nC
包装形式:Tube
封装形式:I2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.3 mOhms
漏极连续电流:120 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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