PSMN1R1-30PL,127

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-220-3
数量:
 6120  
说明:
 MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PSMN1R1-30PL,127-TO-220-3图片

PSMN1R1-30PL,127 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:50
功率耗散:338 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:243 nC
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.3 mOhms
漏极连续电流:120 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN1R1-30PL,127的详细信息,包括PSMN1R1-30PL,127厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC