NE350184C-T1

厂家：: CEL
封装：: Micro-X Ceramic (84 C)
数量：: 3357
说明：: 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET

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NE350184C-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：5000
包装形式：Reel
封装形式：Micro-X Ceramic (84 C)
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作温度：+ 150 C
漏极连续电流：70 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
漏源电压 VDS：4 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：40 mS
噪声系数：0.7 dB
增益：13.5 dB
频率：20 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：是
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

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