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NE3508M04-T2-A

厂家：
  CEL
封装：
 F4TSMM，M04
数量：
 3375  
说明：
 射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
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NE3508M04-T2-A-F4TSMM，M04图片

NE3508M04-T2-A PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：F4TSMM，M04
封装/外壳：SOT-343F
安装类型：-
电压 - 额定：4 V
功率 - 输出：18dBm
电流 - 测试：10 mA
噪声系数：0.45dB
额定电流（安培）：120mA
电压 - 测试：2 V
增益：14dB
频率：2GHz
配置：-
技术：GaAs HJ-FET
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：CEL

以上是NE3508M04-T2-A的详细信息，包括NE3508M04-T2-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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