NE3512S02-T1D-A

厂家：: CEL
封装：: S0-2
数量：: 3438
说明：: 射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

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NE3512S02-T1D-A PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Tape
封装形式：S0-2
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：70 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
漏源电压 VDS：4 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：55 mS
噪声系数：0.35 dB
增益：13.5 dB
频率：12 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：是
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

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