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NE3511S02-T1C-A

厂家：
  CEL
封装：
 S02
数量：
 3384  
说明：
 射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
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NE3511S02-T1C-A PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：S02
封装/外壳：4-SMD，扁平引线
安装类型：-
电压 - 额定：4 V
功率 - 输出：-
电流 - 测试：10 mA
噪声系数：0.3dB
额定电流（安培）：70mA
电压 - 测试：2 V
增益：13.5dB
频率：12GHz
配置：-
技术：GaAs HJ-FET
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：CEL

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