NE3508M04-EVNF23

厂家：: CEL
封装：: FTSMM-4 (M04)
数量：: 3375
说明：: 射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt

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NE3508M04-EVNF23 PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Box
P1dB：18 dBm
封装形式：FTSMM-4 (M04)
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：175 mW
最大工作温度：+ 150 C
漏极连续电流：120 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
漏源电压 VDS：4 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：100 mS
噪声系数：0.45 dB
增益：14 dB
频率：2 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：是
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

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