NE3503M04-A

厂家:
  CEL
封装:
 M04
数量:
 3348  
说明:
 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NE3503M04-A-M04图片

NE3503M04-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装:M04
封装/外壳:SOT-343F
安装类型:-
电压 - 额定:4 V
功率 - 输出:-
电流 - 测试:10 mA
噪声系数:0.45dB
额定电流(安培):70mA
电压 - 测试:2 V
增益:12dB
频率:12GHz
配置:-
技术:GaAs HJ-FET
产品状态:Digi-Key 停止提供
包装:-
系列:散装
品牌:CEL

以上是NE3503M04-A的详细信息,包括NE3503M04-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • NE3508M04-A图片

    NE3508M04-A

    射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

  • NE3508M04-T2-A图片

    NE3508M04-T2-A

    射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

  • NE3509M04-A图片

    NE3509M04-A

    射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC