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IPP048N12N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220-3
数量：
 6731  
说明：
 MOSFET N-channel POWER MOS
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IPP048N12N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPP048N12N3GXK IPP048N12N3GXKSA1 SP000652734
典型关闭延迟时间：64 ns
工厂包装数量：500
上升时间：55 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：137 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：162 S, 81 S
下降时间：19 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.8 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：120 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPP048N12N3 G的详细信息，包括IPP048N12N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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