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IPP04CN10NG

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220-3
数量：
 5535  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.2 毫欧 @ 100A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：13800pF @ 50V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔

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