IPP04CN10NG

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220-3
数量:
 5535  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.2 毫欧 @ 100A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:210nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :13800pF @ 50V
功率 - 最大:300W
安装类型:通孔

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