IPP04N03LB G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO220-3-1
数量:
 5553  
说明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPP04N03LB G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPP04N03LBGXK
典型关闭延迟时间:39 ns
工厂包装数量:500
上升时间:9 ns
功率耗散:107 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:6 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.4 m Ohms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPP04N03LB G的详细信息,包括IPP04N03LB G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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