IPP052NE7N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-220-3
数量：: 5918
说明：: MOSFET N-channel POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：IPP052NE7N3GHKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 SP000641726
典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：500
上升时间：11 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：51 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：103 S, 52 S
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.2 mOhms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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