IPP057N08N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220
数量:
 5953  
说明:
 MOSFET OptiMOS PWR TRANS 80V 80A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

IPP057N08N3 G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IPP057N08N3GHKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 SP000680810
典型关闭延迟时间:38 ns
工厂包装数量:500
上升时间:66 ns
功率耗散:150 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:10 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0057 Ohms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPP057N08N3 G的详细信息,包括IPP057N08N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • IPP05CN10L G图片

    IPP05CN10L G

    MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC