IPP04CN10N G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220
数量:
 9611  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 100A 3.9mOhms
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPP04CN10N G-TO-220图片

IPP04CN10N G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IPP04CN10NGHKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 SP000311499
典型关闭延迟时间:76 ns
上升时间:78 ns
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:210 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :165 S, 83 S
下降时间:25 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.9 mOhms
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPP04CN10N G的详细信息,包括IPP04CN10N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC