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IPP04CN10N G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220
数量：
 9611  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 100A 3.9mOhms
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IPP04CN10N G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPP04CN10NGHKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 SP000311499
典型关闭延迟时间：76 ns
上升时间：78 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：210 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：165 S, 83 S
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.9 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP04CN10N G的详细信息，包括IPP04CN10N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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