IPD60R600C6

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO-252
数量:
 4250  
说明:
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPD60R600C6 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPD60R600C6BTMA1 IPD60R600C6XT SP000660622
功率耗散:151 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:PG-TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):540 mOhms
漏极连续电流:20.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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