首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPD60R600C6

IPD60R600C6

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO-252
数量：
 4250  
说明：
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPD60R600C6-PG-TO-252图片

IPD60R600C6 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPD60R600C6BTMA1 IPD60R600C6XT SP000660622
功率耗散：151 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PG-TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：540 mOhms
漏极连续电流：20.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD60R600C6的详细信息，包括IPD60R600C6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IAUZ30N10S5L240ATMA1
  • BSC252N10NSFGATMA1
  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC