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IPD60R750E6

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 5650  
说明：
 MOSFET N-CH 650V 5.7A
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IPD60R750E6 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD60R750E6BTMA1 IPD60R750E6XT SP000801094
功率耗散：48 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.68 Ohms
漏极连续电流：5.7 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD60R750E6的详细信息，包括IPD60R750E6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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