IPD640N06L G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 17160
说明：: MOSFET N-CH 60V 18A

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IPD640N06L G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06LGXT SP000443766
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：1
上升时间：25 ns
功率耗散：47 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：32 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.064 Ohms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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