IPD65R600E6

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 6010
说明：: MOSFET N-CH 700V 7.3A

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IPD65R600E6 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6XT SP000800216
功率耗散：63 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.54 Ohms
漏极连续电流：7.3 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：700 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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