TK5R3E08QM,S1X

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-220
数量：: 3996
说明：: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM

一、本商品被浏览0次.

TK5R3E08QM,S1X PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3980 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 700μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 50A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
漏源电压（Vdss）：80 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSX-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK5R3E08QM,S1X的详细信息，包括TK5R3E08QM,S1X厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：