TK650A60F,S4X

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-220SIS
数量：: 3420
说明：: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

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TK650A60F,S4X PDF参数资料

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中文参数如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：45W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1320 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.16mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 5.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSIX
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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