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TK62J60W,S1VQ

厂家：: Toshiba
封装：: TO-3P-3，SC-65-3
数量：: 8840
说明：: MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：310 ns
上升时间：58 ns
功率耗散：30 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：180 nC
下降时间：15 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.033 Ohms
漏极连续电流：61.8 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

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