点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):3.6W(Ta),68W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):23 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 60μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Ta),102A(Tc)
漏源电压(Vdss):40 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi
以上是NTMYS3D5N04CTWG的详细信息,包括NTMYS3D5N04CTWG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!