IPB019N08N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：
数量：: 6930
说明：: MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

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IPB019N08N3 G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GXT SP000444110
典型关闭延迟时间：86 ns
工厂包装数量：1000
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0019 Ohms at 10 V
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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