IPB020NE7N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3
数量：: 2042
说明：: MOSFET N-channel POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GXT SP000676950
典型关闭延迟时间：70 ns
上升时间：26 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：206 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：196 S, 98 S
下降时间：22 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：2.3 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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