IPB025N10N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 3308
说明：: MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

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中文参数如下：

零件号别名：IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GXT SP000469888
典型关闭延迟时间：84 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：58 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：206 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：200 S, 100 S
下降时间：28 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.5 mOhms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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