IPB025N08N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263
数量:
 1071  
说明:
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 120A
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中文参数如下:

零件号别名:IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GXT SP000311980
典型关闭延迟时间:86 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:73 ns
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:33 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0025 Ohms
漏极连续电流:120 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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