FDI2532_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-262
数量：: 5742
说明：: MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

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FDI2532_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：39 ns
上升时间：30 ns
功率耗散：310 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
漏极连续电流：79 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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