FDI2532_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-262
数量:
 5742  
说明:
 MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
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FDI2532_Q-TO-262图片

FDI2532_Q PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:39 ns
上升时间:30 ns
功率耗散:310 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:17 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-262
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.016 Ohms
漏极连续电流:79 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:150 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDI2532_Q的详细信息,包括FDI2532_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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