FDI33N25TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK（TO-262）
数量：: 540
说明：: MOSFET TBD

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FDI33N25TU PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
工厂包装数量：50
上升时间：230 ns
功率耗散：235 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：26.6 S
下降时间：120 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.077 Ohms
漏极连续电流：33 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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