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FDI8441_F085

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 I2PAK（TO-262）
数量：
 4275  
说明：
 MOSFET 40V NCH PwrTrench
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FDI8441_F085-I2PAK（TO-262）图片

FDI8441_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：400
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-262AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.2 mOhms
漏极连续电流：80 A
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI8441_F085的详细信息，包括FDI8441_F085厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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