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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:50 ns
上升时间:48 ns
功率耗散:176 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:14 nC, 107 nC
下降时间:20 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-262AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.73 mOhms at 10 V, 2.86 mOhms at 10 V
漏极连续电流:110 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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