FDI3632

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK（TO-262）
数量：: 549
说明：: MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V

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FDI3632 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：96 ns
工厂包装数量：50
上升时间：39 ns
功率耗散：310 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：46 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 mOhms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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