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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:32 ns
商标名:NexFET
工厂包装数量:3000
上升时间:5.3 ns
功率耗散:0.75 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:1.6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5 S
下降时间:17 ns
包装形式:Reel
封装形式:WCSP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):95 mOhms
漏极连续电流:- 1.2 A
闸/源击穿电压:- 6 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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