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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:9.4 ns, 9.1 ns
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
上升时间:6.8 ns, 7.5 ns
功率耗散:6 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:4.8 nC, 9.6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :76 S / 51 S
下降时间:1.7 ns, 1.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:SON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:2.1 V, 1.15 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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