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中文参数如下:
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
上升时间:7 ns
功率耗散:8.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:12.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :87 S / 51 S
下降时间:2.7 ns
包装形式:Reel
封装形式:SON-8 5 x 6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
漏极连续电流:25 A
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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